Накопитель SSD M.2 2280 PCI-E 4.0 x4 1000Гб Samsung 990 Pro ( MZ-V9P1T0BW )

Накопитель SSD M.2 2280 PCI-E 4.0 x4 1000Гб Samsung 990 Pro ( MZ-V9P1T0BW )

1000Gb Samsung 990 Pro (MZ-V9P1T0BW) M.2 2280 PCI-E 4.0 x4 — надежный SSD диск, ускоряющий загрузку операционной системы, запуск приложений и передачу файлов.

Высокая производительность : SSD 1 Tb M.2 Samsung демонстрирует выдающиеся показатели последовательного чтения (до 7450 МБ/с) и записи (до 6900 МБ/с).

PCle 4.0 : SSD M2 Samsung 990 Pro отличается интеллектуальным управлением нагрева внутреннего контроллера, обеспечивающим высокую энергоэффективность с сохранением высокой скорости и производительности.

Надежность : внутренний SSD диск Самсунг оснащен никелированным контроллером и передовым алгоритмом терморегулирования, управляющими теплом для стабильной производительности.

Метка теплораспределителя с точностью контролирует тепло чипа NAND, а технология Dynamic Thermal Guard, в свою очередь, помогает поддерживать оптимальную температуру.

ПО Samsung Magican : содержит интуитивно понятные инструменты для оптимизации производительности SSD Samsung, защиты данных и обновления.

SSD внутренний Samsung серии 990 Pro отличается своей универсальностью, поскольку он совместим с большинством систем и задач, выполняемых пользователям.

SSD накопитель Samsung 990 Pro (MZ-V9P1T0BW) M.2 2280 PCI-E 4.0 x4 1000Gb — отличный выбор для тех, кто ценит высокое качество, эффективность и надежность.

Suwon-si, Gyeonggi-do, 16677

Характеристики

Подсветка: Нет

Тип накопителя: Внутренний SSD-диск

Цвет: Черный

Размеры (мм): 80 х 22 х 2,3

Комплектация: Накопитель SSD, документацияя

Цвет подсветки: Нет

Страна-изготовитель: Вьетнам

Форм-фактор: M.2 2280

Вес (г): 9

Интерфейс подключения: PCIe 4.0 x4

M.2 (ключ): M

Поставка: BOX

Радиатор: Нет

Скорость чтения до (Мб/сек): 7450

Скорость записи до (Мб/сек): 6900

Объём (ГБ): 1000

Тип флэш-памяти: V-NAND MLC

Ресурс TBW (ТБ): 600

Поддержка NVMe: Да

Время работы на отказ (часов): 1500000

Пропускная способность интерфейса: 16 Гбит/с

Скорость случайного чтения (блоки по 4Кб): 1200000 IOPS

Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 1550000 IOPS

Скорость случайного чтения (блоки по 4Кб QD32): 1200000

Скорость случайной записи (блоки по 4Кб QD32): 1550000

Объем: 1000 ГБ (1 ТБ).

Интерфейс: PCle Gen 4 x 4 NVMe.

Скорость чтения: до 7 450 МБ/с.

Скорость записи: до 6 900 МБ/с.

Данные изготовителя: Samsung Electronics Co., Ltd. Республика Корея, (Maetan-dong) 129, Samsung-ro, Yeongtong-gu,

Срок службы: 24 месяца