Накопитель SSD M.2 2280 PCI-E 4.0 x4 1000Гб Samsung 990 Evo Plus ( MZ-V9S1T0B )

Накопитель SSD M.2 2280 PCI-E 4.0 x4 1000Гб Samsung 990 Evo Plus ( MZ-V9S1T0B )

1000Gb Samsung 990 Evo Plus (MZ-V9S1T0BW) M.2 2280 PCI-E 4.0 x4 — надежный SSD диск, ускоряющий загрузку операционной системы, запуск приложений и передачу файлов.

Высокая производительность : SSD 1Tb для ПК Samsung демонстрирует выдающиеся показатели последовательного чтения (до 7200МБ/с) и записи (до 6300 МБ/с).

Эффективность использования энергии : SSD M2 Samsung 990 Evo Plus отличается повышенной на 73% энергоэффективностью, обеспечивающей больше МБ/с на ватт с сохранением производительности.

Надежность : внутренний SSD диск Самсунг оснащен никелированным контроллером, увеличивающим МБ/с на Ватт с достижением высокого уровня мощности и терморегулирования при меньшем энергопотреблении.

Улучшенная технология Intelligent Turbowrite 2.0 : позволяет обрабатывать большой объем данных и с легкостью справляться с тяжелой графикой.

ПО Samsung Magican : содержит интуитивно понятные инструменты для оптимизации производительности SSD Samsung, защиты данных и обновления.

SSD внутренний Samsung серии 990 EVO Plus отличается своей универсальностью, поскольку он совместим с большинством систем и задач, выполняемых пользователям.

SSD накопитель Samsung 990 Evo Plus (MZ-V9S1T0BW) M.2 2280 PCI-E 4.0 x4 1000Gb — отличный выбор для тех, кто ценит высокое качество, эффективность и надежность.

Suwon-si, Gyeonggi-do, 16677

Характеристики

Подсветка: Нет

Тип накопителя: Внутренний SSD-диск

Цвет: Черный

Размеры (мм): 80,15 х 22,15 х 2,38

Комплектация: накопитель, инструкция

Цвет подсветки: Нет

Страна-изготовитель: Корея

Форм-фактор: M.2 2280

Вес (г): 9

Интерфейс подключения: PCIe 4.0 x4

M.2 (ключ): M

Радиатор: Нет

Скорость чтения до (Мб/сек): 7200

Скорость записи до (Мб/сек): 6300

Объём (ГБ): 1000

Тип флэш-памяти: V-NAND TLC

Ресурс TBW (ТБ): 600

Поддержка NVMe: Да

Время работы на отказ (часов): 1500000

Скорость случайного чтения (блоки по 4Кб): 850000 IOPS

Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 135000 IOPS

Потребление (рабочий режим): 3.3 W

Объем: 1000 ГБ (1 ТБ).

Интерфейс: PCle NVMe Gen 4.0 x4.

Скорость чтения: до 7 200 МБ/с.

Скорость записи: до 6 300 МБ/с.

Данные изготовителя: Samsung Electronics Co., Ltd. Республика Корея, (Maetan-dong) 129, Samsung-ro, Yeongtong-gu,

Срок службы: 24 месяца